为了用高温退火和自电阻加热工艺生产大尺寸和可选择形状的钼单晶,研究了掺杂元素对二次晶粒长大行为的影响和反常晶粒长大的机制。结果发现,一定数量的CaO和/或MgO作为加工钼晶粒长大行为的抑制剂是有效的:最初,CaO或MgO在原有再结晶晶粒边界上析出,抑制了正常的晶粒长大,相反,当它们在较高的温度下分解为单个元素时则容许反常的晶粒长大。所以,容易由热加工的钼材制取10×40×200毫米的大尺寸单晶片,弯曲角约为70°的、2毫米厚的弯曲单晶片,φ5×210毫米的单晶棒和尺寸为16(外径)×9(内径)×200(长