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提高青铜法多芯Nb_3Sn导体临界电流密度JC的新工艺
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    本文提出了“青铜基体在导体中均匀配置”是提高青铜法多芯Nb_3Sn导体Jc的新观点,相应采用了“一次性青铜分配-两次挤压-拉伸”新工艺。用该工艺研制出了有高载流能力的大截面多芯Nb_3Sn矩形导体,并测定了其超导特性Jc、Tc、Hc2及反应热处理后青铜基体中的残余Sn含量。用这种工艺研制的矩形导体,经700℃,48-168小时反应热处理后,在4.2K,15特斯拉(T)时,其Jc值为1.2×10~4A/cm~2。H_(c2)(4.2K)为19.6-20T,Tc为17.5-17.7K。中国科学院电工研究所,用

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引用本文

熊寿高,唐先德.提高青铜法多芯Nb_3Sn导体临界电流密度JC的新工艺[J].稀有金属材料与工程,1987,(2).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1987,(2).]
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