1.难熔金属硅化物的特性集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,布线宽度越来越窄,以致连线电阻的增加影响了电路延迟时间。超大规模集成电路(VLSI)使用的MOS工艺的多晶硅栅也因电阻率过高而影响了电路的速度。集成
郑国强,李殿魁.国外难熔金属硅化物靶材进展[J].稀有金属材料与工程,1987,(5).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1987,(5).]DOI：[doi]