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固溶处理对NiTi薄膜中位错密度的影响
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O484.4

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教育部博士点基金项目,吉林省科委基金资助(20020611)


Effect of Solution Treatment on Dislocation Density in NiTi Thin Films
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    用磁控溅射法将NiTi薄膜沉积在纯Cu箔片上,在800℃分别固溶30min,45min,60min和120min:采用X射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量。随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降;亚晶粒尺寸D逐渐增加;平均位错分布参量基本不变。由位错密度及位错分布参量计算得到NiTi薄膜材料的显微硬度值,随固溶时间的增加,显微硬度计算值明显低于测量值。

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引用本文

李永华 孟繁玲 高忠民 郑伟涛 王煜明.固溶处理对NiTi薄膜中位错密度的影响[J].稀有金属材料与工程,2004,33(11):1136~1139.[Li Yonghua, Meng Fanling, Gao Zhongmin, Zheng Weitao, Wang Yuming. Effect of Solution Treatment on Dislocation Density in NiTi Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(11):1136~1139.]
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  • 最后修改日期:2003-11-03
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