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发展了一种新的VO2薄膜制备方法—V2O5熔化成膜法，其基本步骤为：基片预处理—涂粉—熔化成膜—真空退火—VO2薄膜。采用XRD和XPS等手段，对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析，同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试。结果表明：通过该方法获得的薄膜，其主要成分是VO2，电阻突变达到4个数量级，相变温度为67．5℃。
马红萍 徐时清. V2O5熔化成膜法制备VO2薄膜[J].稀有金属材料与工程,2004,33(3):317~320.[Ma Hongping, Xu Shiqing . VO2 Thin Films Prepared by V2O5 Melting Formation Thin Films Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(3):317~320.]DOI：[doi]