氨化硅基Ga2O3／Al2O3制备GaN薄膜性质研究

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氨化硅基Ga2O3／Al2O3制备GaN薄膜性质研究
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中图分类号:TN304
基金项目:国家自然科学基金重大研究计划(90201025)和国家自然科学基金(60071006)资助项目

Characteristics of GaN Film Prepared by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate

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研究了Ga2O3／Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3／Al2O3膜，再将Ga2O3／Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR)，X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析。通过分析薄膜各方面的性质，得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15nm左右，最佳氨化条件是在900℃下氨化15min。

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魏芹芹薛成山孙振翠庄惠照王书运.氨化硅基Ga2O3／Al2O3制备GaN薄膜性质研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(5):746~749.[Wei Qinqin, Xue Chengshan, Sun Zhencui, Zhuang Huizhao, Wang Shuyun. Characteristics of GaN Film Prepared by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(5):746~749.]
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