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厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究
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TQ174.758 TN713

基金项目:

国家自然科学基金委员会资助(50172035)


Study on X7R Dielectric Material for Thick Film EMI Filter
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    利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统。由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1290℃烧结时介电常数达到5000以上,容量变化率ΔC/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1150℃),介电常数大于3600,容量变化率ΔC/C≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备。

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引用本文

李玲霞,郭炜,吴霞宛,王洪儒,张志萍,余昊明.厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(5):764~767.[Li Lingxia, Guo Wei, Wu Xiawan, Wang Hongru, Zhang Zhiping, Yu Haoming. Study on X7R Dielectric Material for Thick Film EMI Filter[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(5):764~767.]
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  • 最后修改日期:2004-04-19
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