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脉冲激光沉积技术制备IrO2薄膜的研究
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TG146.4

基金项目:

湖北省国际合作重点项目、武汉理工大学科学研究基金(2003XJJ194)、武汉理工大学博士科研启动费(451-35100149)资助.


Preparation of IrO2 Thin Films by Pulsed Laser Deposition
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    利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜.讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响.结果表明20 Pa为最佳O2分压、400℃~500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μΩ·cm.

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引用本文

夏明祥 王传彬 公衍生 沈强 张联盟.脉冲激光沉积技术制备IrO2薄膜的研究[J].稀有金属材料与工程,2006,35(5):820~823.[Xia Mingxiang, Wang Chuanbin, Gong Yansheng, Shen Qiang, Zhang Lianmeng. Preparation of IrO2 Thin Films by Pulsed Laser Deposition[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(5):820~823.]
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  • 收稿日期:2005-02-05
  • 最后修改日期:2005-04-25
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