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磁控溅射氮分压对Nb-Si-N薄膜结构和性能的影响
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TG146.4

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国家重点基础研究发展计划“973”项目(004CB619302);国家自然科学基金(NSFC)(50471035);光电技术与智能控制教育部重点实验室(兰州交通大学)开放基金资助项目(K040119)


The Effect of N2 Partial Pressure on the Microstructure and Properties of Nb-Si-N Films
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    摘要:

    用反应磁控溅射法在不同的氮分压下沉积了Nb-Si-N薄膜.结果表明:Nb-Si-N膜的成分、结构和性能随氮分压的改变而不同.随氮分压的增加,Nb-Si-N膜的Nb/Si比和表面粗糙度减小;薄膜的电阻值和微硬度增加.Nb-Si-N膜的结构为纳米晶NbN与类似Si3N4非晶相组成的纳米复合结构,且随着氮分压的增加,Nb-Si-N膜的非晶倾向增强,晶粒尺寸减小.

    Abstract:

    The Nb-Si-N films were deposited by reactive magnetron sputtering with different N2 partial pressures. The result showed that the composition, microstructure and properties of the Nb-Si-N films depend strongly on the N2 partial pressure. As the N2 partial pressure increasing, the Nb/Si ratio and the surface roughness decease, but the bulk resistance and microhardness of the Nb-Si-N films increase. The microstructure of Nb-Si-N films is a nano-composite structure consisting of nano-sized NbN crystallites and amorphous Si3N4-like compound of Si-N. With the increase of N2 partial pressure, the amorphous tendency of Nb-Si-N films increases and the grain size decreases.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王剑锋 宋忠孝 徐可为 范多旺.磁控溅射氮分压对Nb-Si-N薄膜结构和性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2006,35(6):978~981.[Wang Jianfeng, Song Zhongxiao, Xu Kewei, Fan Duowang. The Effect of N2 Partial Pressure on the Microstructure and Properties of Nb-Si-N Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(6):978~981.]
DOI:[doi]

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  • 收稿日期:2005-07-12
  • 最后修改日期:2005-07-12
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