+高级检索
高密度高导电性ITO靶研制
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TF124 TF123

基金项目:

国防科工委预研科学基金资助(413100202)


Manufacture of ITO Target with High Density and High Conductivity
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(IndiumTinOxide)靶相对密度达到97%~99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4??cm,其质量损失率小于4.0%。采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上。当烧结温度为l500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张维佳,王天民,崔敏,金飞,丁照崇,阎兰琴.高密度高导电性ITO靶研制[J].稀有金属材料与工程,2006,35(7):1021~1024.[Zhang Weijia, Wang Tianmin, Cui Min, Jin Fei, Ding Zhaochong, Yan Lanqin. Manufacture of ITO Target with High Density and High Conductivity[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1021~1024.]
DOI:[doi]

复制
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2005-04-22
  • 最后修改日期:2006-03-30
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期: