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乙醇钽化学气相沉积制备Ta2O5薄膜研究进展
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中图分类号:

TG154.5

基金项目:

国家自然科学基金(50404011);国家高技术研究发展计划项目(2007AA03Z425);中国博士后科学基金(20040350187)


Recent Progress in Preparation of Ta2O5 Film by CVD Using Ta(OC2H5)5 as Precursor
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    摘要:

    Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性,因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传感器、太阳能光伏电池面板介电层等方面得到应用。对以Ta(OC2H5)5为原料,通过常规金属有机化合物气相沉积、光致化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积和脉冲化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜进行了评述,并对这些方法存在的问题进行了分析。

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引用本文

杨声海,刘银元,邱冠周,唐谟堂.乙醇钽化学气相沉积制备Ta2O5薄膜研究进展[J].稀有金属材料与工程,2007,36(12):2075~2079.[. Recent Progress in Preparation of Ta2O5 Film by CVD Using Ta(OC2H5)5 as Precursor[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(12):2075~2079.]
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  • 最后修改日期:2007-01-09
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