以Cu，Ti混合粉末作为钎料，对Si／SiC陶瓷与低膨胀钛合金进行了真空钎焊。采用SEM对接头的连接状况，组织结构进行了观察分析；同时测量了接头的室温剪切强度，并探讨了影响接头强度的因素。结果表明：Cu-Ti钎料对陶瓷和钛合金具有良好的润湿性，在890℃保温10min条件下能形成结构均匀、连接良好的接头，在结合层与陶瓷界面生成TiSi2，CuTiSi反应层；在保温15min条件下则生成TiSi，CuTiSi，Ti3SiC2，Nb3si多种反应物。两种工艺条件下结合层与低膨胀钛合金界面均形成Ti合金／（Ti，Nb）层／CuTi层／Cu3Ti2层多层扩散反应层；接头的室温剪切强度与连接时间有关，在10min时达到最大值121．1MPa；15min时由于在结合层与陶瓷界面生成多种反应产物，容易在陶瓷的近缝区和结合层产生裂纹，导致接头强度降低。