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热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究
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TN304

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Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 10175040) (Grant No. 10575069), Foundation of Shanghai Educational Committee (Grant No. 02AK30), and Shanghai Leading Academic Discipline Project T0101


Improving the Properties of CdZnTe Crystals by Annealing Processes
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    摘要:

    对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10^-4Pa,退火时间达48h后,电阻率可以提高到2.6×10^9Ω·cm。

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引用本文

闵嘉华 桑文斌 刘洪涛 钱永彪 滕建勇 樊建荣 李万万 张斌 金玮.热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究[J].稀有金属材料与工程,2007,36(3):471~474.[Min Jiahua, Sang Wenbin, Liu Hongtao, Qian Yongbiao, Teng Jianyong, Fan Jianrong, Li Wanwan, Zhang Bin, Jin Wei. Improving the Properties of CdZnTe Crystals by Annealing Processes[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(3):471~474.]
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  • 最后修改日期:2006-01-06
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