GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

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GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征
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中图分类号:TN304.2
基金项目:国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(2003CB314903)

GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization

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采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用5S间断生长的GaAs／AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长，并且10对GaAs／AlAs DBR的质量优于30对，说明DBR对数越多，周期厚度波动越大，材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs／AlAsDBR的反射率大于99％，中心波长为1316nm，与理论设计结构的模拟结果基本一致，可用作1．3μm垂直腔面发射激光器（VVSEL）直接键合的反射腔镜。

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谢正生,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌. GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征[J].稀有金属材料与工程,2007,36(4):587~591.[Xie Zhengsheng, Wu Huizhen, Lao Yanfeng, Liu Cheng, Cao Meng. GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(4):587~591.]
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最后修改日期:2006-08-16
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