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Mg^2+在金属-电介质复合材料中的掺杂研究
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中图分类号:

TQ174.758

基金项目:

国家自然科学基金(50472064);天津市基金项目(05YFJMJC09300)资助


Doping of Mg in Metal Dielectric Composites of BaTiO3
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    研究了镁离子在金属-电介质复合材料中的改性作用。通过SEM、EDS、XRD等分析手段综合得出Mg^2+取代了BaTiO3晶格中B位的Ti^4+,并使置换出来的Ti^4+在样品表面形成富集。介电性能分析证明Mg^2+可以明显降低系统介电损耗,展宽并压低居里峰。当Mg^2+添加量为0.9%(摩尔分数),系统介电常数高达11395,介电损耗为0.006,并在-55~150℃范围内容量变化率〈±10%。

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引用本文

李玲霞 王大鹏 郭锐 王洪儒 孟旭东 李慧灵. Mg^2+在金属-电介质复合材料中的掺杂研究[J].稀有金属材料与工程,2007,36(6):1051~1054.[Li Lingxia, Wang Dapeng, Guo Rui, Wang Hongru, Meng Xudong, Li Huiling. Doping of Mg in Metal Dielectric Composites of BaTiO3[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(6):1051~1054.]
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