利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe：In。不同In压下（Cd，Zn分压保持在平衡分压）的热处理实验结果表明：热处理后样品的电阻率可从6．75×10^5Ω·cm提高到10^8～10^1010Ω·cm；并且随着In压的增加，导电类型逐渐由p型转变为n型。热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释。利用扩散理论建立了CdZnTe：In的电阻率物理模型。利用热处理后样品的电阻率数据，计算了在873，973和1073K时In原子在CZT晶体中的有效扩散系数DIn，分别为3．455×10^-11，2．625×10^-10和5．17×10^-9cm^2／s。将扩散数据经过拟合后得到了DIn的表达式：1．35exp（-1．85eV／kT）cm^2／s（873～1073K）。