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附加碳源对SiC单晶生长过程的影响
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中图分类号:

TN304.05

基金项目:

Supported by the Natural Science Foundation of China (Grant No. 50672073) and the Doctoral Foundation of Xi'an Jiaotong University (DFXJTU2005-13)


Effects of Additive Carbon Source on Growth of SiC Single Crystal
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    研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。

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    参考文献
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    引证文献
引用本文

程基宽 高积强 刘军林 蒋仙 杨建峰 乔冠军.附加碳源对SiC单晶生长过程的影响[J].稀有金属材料与工程,2007,36(9):1661~1664.[Cheng Jikuan, Gao Jiqiang, Liu Junlin, Jiang Xian, Yang Jianfeng, Qiao Guanjun. Effects of Additive Carbon Source on Growth of SiC Single Crystal[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(9):1661~1664.]
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  • 最后修改日期:2006-09-23
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