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三元缺陷化合物CuGa3Te5的热电性能
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国家自然科学基金资助(51171084, 50871056);宁波市国际合作项目(2011D10012)


Thermoelectric Properties of a Ternary Defect Compound CuGa3Te5
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    摘要:

    采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物CuGa3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGa3Te5,直接带隙宽度 (Eg) 约为1.0 eV。经热电性能测试分析,在717 K时CuGa3Te5的ZT值达到最大值0.3。

    Abstract:

    A ternary defect compound CuGa3Te5 was synthesized by a spark plasma sintering technique and its structures and thermoelectric properties were evaluated at 318~717 K. The XRD analysis indicates that the compound is single phase CuGa3Te5 with a direct band gap (Eg) of ~1.0 eV. The maximum thermoelectric figure of merit ZT is 0.3 at 717 K.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

任 伟,孟庆森,陈少平,孙 政,崔教林.三元缺陷化合物CuGa3Te5的热电性能[J].稀有金属材料与工程,2014,43(12):3129~3132.[Ren Wei, Meng Qingsen, Chen Shaoping, Sun Zheng, Cui Jiaolin. Thermoelectric Properties of a Ternary Defect Compound CuGa3Te5[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2014,43(12):3129~3132.]
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  • 收稿日期:2013-12-04
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  • 在线发布日期: 2015-04-16
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