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SiCw/Si3N4复合陶瓷的制备及介电性能的研究
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作者单位:

中南大学粉末冶金研究院,中南大学粉末冶金研究院

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基金项目:

973计划项目(2011CB605804);国家重点基础研究发展计划(973计划)


Preparition and Dielectric properties of SiCw/Si3N4 composite ceramic
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Affiliation:

State Key Laboratory for Powder Metallurgy, Central South University,,State Key Laboratory for Powder Metallurgy, Central South University,

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    摘要:

    采用凝胶注模成型工艺制备了SiCw/Si3N4复合陶瓷,扫描电镜图(SEM)可以看出随热处理温度升高,碳化硅晶须的长径比逐渐缩短;随烧结温度升高,复合陶瓷开孔率降低,密度随晶须含量的增加而增加。研究表明,SiCw/Si3N4复合陶瓷的介电常数实部和虚部随碳化硅晶须含量的增加而升高,当烧结温度为1600℃,晶须含量从5%增加到15%时,8GHz时介电常数实部从13.4增加到22.8,虚部从0.67增加到4.86;当烧结温度为1750℃时,8GHz时实部从9.2增加到21.7,虚部从0.51增加到3.02。反射率曲线可以看出,烧结温度为1750℃比1600℃时反射衰减随SiCw含量的增加向低频移动的更快,频宽更宽。

    Abstract:

    Gelcasting was employed to fabricate Si3N4/SiC whisker (SiCw) composite ceramics. SEM showed the effects of heat-treatment temperature on the length-to-diameter ratio of the whiskers. The open porosity of composite ceramics declined and density increased as the whisker content raised when the sintering temperature increased. Study also showed that both the real (ε¢) and imaginary (ε2) permittivity of Si3N4/SiC whisker (SiCw) composite ceramics decreased with increasing frequency and increased as the whisker content raised in the frequency range of 8.2~12.4GHz. As the whisker content increased from 5 wt% to 15

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

(中南大学粉末冶金研究院,湖南 长沙 ). SiCw/Si3N4复合陶瓷的制备及介电性能的研究[J].稀有金属材料与工程,2017,46(4):1061~1066.[xiao weiling, xiao peng. Preparition and Dielectric properties of SiCw/Si3N4 composite ceramic[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2017,46(4):1061~1066.]
DOI:[doi]

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  • 收稿日期:2014-12-14
  • 最后修改日期:2015-01-28
  • 录用日期:2015-05-13
  • 在线发布日期: 2017-08-04
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