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1972年第0卷第5期文章目次

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  • 1  NbTi50超导合金丝材工艺的研究
    李成仁
    1972(5).
    [摘要](1381) [HTML](158) [PDF 0.00 Byte](83)
    摘要:
    对于塑性良好的 NbTi 合金,国内外已进行过很多的研究。在成份均匀性的研究方面,国外有采用多达十几次电弧炉重熔或者多次电子轰击的办法,来获得成份均匀性好的铸锭。显然,这在大规模生产中是不宜采用的,因此,国内一些从事超导材科研究的单位,曾采用粉末冶金的方法来制取成份均匀性良好的合
    2  NbTi50超导合金丝材组织结构与超导临界电流密度的关系
    刘春芳 李肖苏 陈崇琪
    1972(5).
    [摘要](1423) [HTML](147) [PDF 0.00 Byte](54)
    摘要:
    前言在合金系材料中,NbTi 超导合金无论是加工性能,还是实用超导性能都是比较优良的。因此,它的实用价值也较高。目前国内外,对 NbTi 系超导合金的各方面研究已有很多报导,并且,怍为超导磁体材料,已被大量生产和应用。
    3  NbTi50多芯复合线的探索
    李成仁 李肖苏 谢会久
    1972(5).
    [摘要](1483) [HTML](140) [PDF 0.00 Byte](60)
    摘要:
    早期的高场超导磁体并不具有令人满意的性能,不能在由小样品显示的电流密度下运行,这种现象叫做退化。这种现象的存在使磁体变得很不安全。因此,人们在千方百计地提高超导材料临界电流密度的同时,还大力研究稳定化技术,克服退化效应,以充分利用超导材料的现有性能和保证设备的安全可靠。通常在锟钛超导合金外面都敷以高导电无氧铜。但从传热导电方面考虑,一般须把超导线埋在断面积比它大20倍的铜基
    4  0.0 5×80毫米的一千米长铌带制取工艺
    宋文生
    1972(5).
    [摘要](1459) [HTML](139) [PDF 0.00 Byte](128)
    摘要:
    制取超导材料,都必须考虑长度问题。对合金材料是如此,对化合物材料也是如此。我们在研究 Nb_3Sn 化合物时制成了长1038米的长铌带,现将工艺介绍一下:一、铸锭
    5  多纤维复合超导体
    P·R·克里奇洛 孙洪志
    1972(5).
    [摘要](1347) [HTML](144) [PDF 0.00 Byte](58)
    摘要:
    世界上第一个高磁场超导磁体在一九六一年由孔兹勒和他的同事采用一种生成了的Nb_3Sn 的粉末穿芯线制造成功,然而这种化合物是非常脆的;尽管可以把它制成薄带形式,但磁场超过100KG 时,它的应用就受到了限制。目前只有少数几个超导磁体能在这样高的磁场上运行。
    6  超导合金
    蔡倩倩
    1972(5).
    [摘要](1326) [HTML](134) [PDF 0.00 Byte](51)
    摘要:
    本发明叙述含有 Ti、Ta 和 Nb 的三元超导合金的。在超导现象中,一些金属、合金和化合物在极低的致冷温度下通过电流时失去其常态电阻。对超导性最感兴趣的用途之一是在电磁体方面。对于电磁体所采用的超导线或带的超导材料包括如 Nb—Zr 和 Nb—Ti 等超导合金和铌三锡(Nb_3Sn)等超导化合物。Nb_3Sn 是一种能承受非常高磁场的超导材料,但是采用通常的冶金工艺很难将之成型为
    7  扩散法制备稳定的Nb_3Sn基超导带
    J·R·加瓦勒 黄金昌
    1972(5).
    [摘要](1379) [HTML](137) [PDF 0.00 Byte](55)
    摘要:
    已发展了一种制备 Nb_3Sn 带的扩散法。它可使 Nb_3Sn 带获得所希望的任何稳定程度。除了详细地叙述了制备方法外,着重地叙述了反应时间,反应温度和沾污对 Nb_3Sn 极限电流的影响。在最佳条件下,于100KG 场强中带的短试样电流密度约为 10~5安培/厘米~2
    8  Nb_3Sn临界电流密度的提高
    J·S·克拉斯劳 周廉
    1972(5).
    [摘要](1347) [HTML](142) [PDF 0.00 Byte](43)
    摘要:
    自从一九五四年马赛厄斯等人发现 Nb_3Sn,以及围绕着其在高磁场中保持超导性的现象进行研究以来,很多作者已叙述了把这种材料制成一种适于绕入高场磁体的形状的一些方法。这些包括有“KunzLe 线”的制取,在一隋性基体上气相沉积 Nb_3Sn,以及在一铌基体上扩散生成 Nb_3Sn。目前,一些较重大改进之一是提高了在 Nb_3Sn 层中可获
    9  Nb_3Sn的显微组织、杂质含量及临界电流密度
    P·B·哈特 周廉
    1972(5).
    [摘要](1334) [HTML](137) [PDF 0.00 Byte](59)
    摘要:
    通过临界电流密度的测定,透射电子显微镜和化学分析建立了临界电流密度 Jc 与Nb_3Sn 中氧含量以及存在的很细的弥散析出物间的关系。当氧含量从小于50PPm(重量)增加至1000PPm 时,在46仟高斯下的临界电流密度 Jc 从1×10~5安/厘米~2增加到6×10~5。对所有氧含量大于160PPm 的试样,观察到一种很细的析出物(质点尺寸~50埃)。结论是析出物在 Nb_3Sn 中起磁钉中心的作用。发现氮含量与临界电流密度间没有关系。
    10  超导电V_3Ga的结构和磁行为
    B·N·达斯 D·U·古布塞 R·A·海因 孙洪志
    1972(5).
    [摘要](1229) [HTML](144) [PDF 0.00 Byte](62)
    摘要:
    背景:材料的加工方法大体上能改变可能有用的 V_3Ga 化合物的超导电行为。当我们思考所报告的这种化合物的转变温度(To)是在13.9K 和16.8K 之间变化时,这一点就显得更加明显。而详细的加工条件和在各种加工条件下的临界磁场和临界电流特性的变化,都不知道。
    11  高场强超导体V_3Ga,(VZr)_3Ga及(VHf)3Ga的缺陷组织及临界电流密度
    埃克哈尔特·内姆巴赫 刘雅庭 谢波
    1972(5).
    [摘要](1365) [HTML](151) [PDF 0.00 Byte](61)
    摘要:
    用电子显微镜及 X 射线衍射研究了高场强超导体 V_3Ga 的高导电性能,结果是:此化合物只是由部分地有序排列与无序排列的细晶粒组成。材料的晶粒愈细,临界电流密度愈大。得出了晶界钉扎磁通线的结论。对此讨论了不同相互作用的机理。向钒中添加铪,锆可以进一步提高临界电流密度。锆、铪给 V_3Ga 相形成不均匀晶核的机会,并由此而进一步使晶粒尺寸变小。上述元素还生成第二相析出粒子,它同样钉扎磁通线。可惜的是到目前为止,避免细晶粒组织以后的再结晶还未成功;再结晶可大大减少钉扎磁通线点的数量。
    12  钒镓合金的阳极氧化
    谢波
    1972(5).
    [摘要](1644) [HTML](145) [PDF 0.00 Byte](68)
    摘要:
    钒镓系除了超导相 V_3Ga(Cr_3Si-类型)之外,还包括一系列金属间相,这些金属间相一部分是纯二元的(例如:V_2Ga_5),但是由于夹杂物,所以部分是三元的(例如:V_5Ga_3Ox 或 V_3GaOx)或者是四元的,(例如:V_5〈Ga,Si〉_3Ox)。为了把显微照片里的不同相彼此区别开来,而且不用其他辅助方法(x 射线显微分析,微硬度测量),
    13  寻找高温超导体
    B·T·马赛厄斯 孙洪志
    1972(5).
    [摘要](1359) [HTML](148) [PDF 0.00 Byte](55)
    摘要:
    虽然室温超导性将永远不能实现,但25—30K 的转变温度是有现实可能的,并且将引起技术革命。自1911年以来,室温超导一直是科学家以及科学幻想家的幻想。不幸的是,超导在这两个幻想世界之间的界限在过去十年里完全变得模糊了。但是在今天,与社会需要有关的物理学中经常被提到的两种最重要和最难的问题,仍旧是室温超导和受控热核反应,
    14  对于超导性的经验接近
    B·T·马赛厄斯 周廉
    1972(5).
    [摘要](1319) [HTML](131) [PDF 0.00 Byte](67)
    摘要:
    引言思考一下为什么近来关于新超导体的讨论相对少的原因是很有意思的。首先,超导性是一种合作现象,对其转变温度还没有定量的答案。众所周知,合作现象只是在许多单独现象参加时才发生。这种现象不限于物理方面;它们是自然界的主要现象。超导性是一种电导性合作的现象。但只要你把超导解释成某种病态的电导,那么预言新的超导
    15  国外高温超导材料的研究情况
    孙洪志
    1972(5).
    [摘要](1330) [HTML](168) [PDF 0.00 Byte](70)
    摘要:
    超导材料的出现和应用有力地推动了科学技术的发展。但是由于受到低温技术和低温装置的限制而不能广泛使用。从1911年发现超导现象一直到1957年超导理论初步建立以后,所知道的超导材料都是在深低温中显现超导性,而目前具有最高转变温度的铌铝锗超导化合物也仅为20.7K。所以人们一直在寻找高温超导材料的理论根据和制造的可
    16  V_3Ga超导带
    孙洪志
    1972(5).
    [摘要](1369) [HTML](149) [PDF 0.00 Byte](53)
    摘要:
    目前由日本真空治金有限公司制造的 V_3Ga 超导带,可用于建造150KG 以上的高磁场磁体。该公司利用扩散反应法制得的103A 样品的示意图和尺寸如下:
    17  国外从事超导研究工作的单位及应用
    1972(5).
    [摘要](1243) [HTML](131) [PDF 0.00 Byte](58)
    摘要:
    ┌─┬───────────────────┬──────────────────────────┐│国│单位 │ 。、气‘_:万吮’J〔、‘ ││别│ │应用情况 │├─┼───────────────────┼──────────────────────────┤│美│1、加利福尼亚高级动力实验室_,· │X丁射线快i萝作用检波器 ││国│_Advaneed Ki乒et里es,Calif) │ ││ ├───────────────────┼──────────────────────────┤│ │
    18  超导应用的可能领域
    1972(5).
    [摘要](1344) [HTML](131) [PDF 0.00 Byte](60)
    摘要:
    利用其完全导电性利用其完全反磁性利用超导态和常态之转换超导强磁体测量仪器脉泽激光远红外线检测固体物理学研究磁选矿、生物磁应用离子推进电磁推进磁流体发电核聚变实验磁浮高速列车磁治疗机、发电机、电动机、低 温输电超导储能电子显微镜的磁透镜天线大功率振动台超导空腔谐振器加速度计陀螺仪无摩擦轴承和吊架磁屏蔽(磁场的超导屏蔽)高灵敏度磁通计标准电磁测量放大器磁流体发电机整流器磁通泵冷子管和固磁管(计算机中作开关元件和存储元件用。超导大容量存储器)逻辑元件热泵的开关微波接触器微波开关超导保险和开关超导应用的可能…
    19  一种新的高磁场超导体
    孙洪志
    1972(5).
    [摘要](1400) [HTML](127) [PDF 0.00 Byte](55)
    摘要:
    具有 C—15型结构的 V_2HfxZr_1-x 化合物,给出一个高稳定的临界磁场,在4.2K 上和 x>0.3时,超过200KOe。组分为 V_2Hf_(0.5)Zr_(0.5)的最高转变温度可达10.1K,临界磁场可达230KOe。这种材料在4.2K 上和130KOe 的磁场上,临界电流密度为1×10~5A/Cm~2,这有利于在高磁上的实际应用。

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