用电子显微镜及 X 射线衍射研究了高场强超导体 V_3Ga 的高导电性能,结果是:此化合物只是由部分地有序排列与无序排列的细晶粒组成。材料的晶粒愈细,临界电流密度愈大。得出了晶界钉扎磁通线的结论。对此讨论了不同相互作用的机理。向钒中添加铪,锆可以进一步提高临界电流密度。锆、铪给 V_3Ga 相形成不均匀晶核的机会,并由此而进一步使晶粒尺寸变小。上述元素还生成第二相析出粒子,它同样钉扎磁通线。可惜的是到目前为止,避免细晶粒组织以后的再结晶还未成功;再结晶可大大减少钉扎磁通线点的数量。