研究了含0～34at% Ta 的 Nb(Ta)多芯与 Cu(Sn)基体间的反应结果。电子针探测定表明,Ta 完全地进入至反应层中,产生了(Nb,Ta)_3Sn 三元的 A—15化合物。高 Ta 含量导致反应速度降低。超导临界温度随着 Ta 含量的增加而降低要比早期对粉末试样所报导的更快。但是少量的 Ta 含量降低了磁场对临界电流的依赖性,增加了高磁场下的临界电流。据认为,这些效果是由于降低了电子平均自由路程,而导致临界磁场增加的结果,并且可以证明,它对于制作高场超导磁体具有技术意义。