本报告叙述的工作是研究通过加入合金元素来提高Nb—Ti上临界磁场的可能性,该研究属于12T磁体计划的内容。以前,我们曾发表过这方面初期工作的报道。在本文的第一部分将报道Nb—Ti—Ta和Nb—Ti—Hf系合金之Hc_2的进一步测量结果。尽管发现这些合金的μ_oHc_2(4.2k)比二元合金NbTi仅高～0.3T,即提高很少;然而,在很宽的Nb—Ti—Ta合金成份范围内,2k下的μ_oHc_2(2k)超过15T,其最大值达15.5T,这意味着比未合金化的Nb—Ti提高1.3T。相比之下,Nb—Ti—Hf系合
D. C. Hawkswcrfh, D. C. Larbalestier,李成仁. Nb—Ti及其合金的上临界磁场和高场临界电流密度的进一步研究[J].稀有金属材料与工程,1981,(3).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1981,(3).]DOI：[doi]