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Bi-2212/Ag层状多芯带
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TG33

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    在 Bi-2 2 2 3/Ag多芯带中 ,与银层相邻的 Bi-2 2 2 3晶粒是高临界电流密度 ( Jc)区。最近的研究又表明 :Bi-2 2 1 2 /Ag带中光滑的银 -氧化物界面对于获得所需要的 Jc值是很重要的 ,光滑的界面会产生均匀的和高度择优取向的结构。因此 ,高性能的超导带需要增加有效的载流横截面积 ,并且 ,经部分熔融处理后 ,晶粒仍然能保持沿界面的有序排列。根据上述实验结果和推测 ,美国 Concurrent技术公司的 D-W yuan等人研究了一种制造银包覆多芯带的改进的粉末装管 ( PIT)工艺。用这种改进 PIT工艺制备的导体由层状的 Bi-2 2 1 2单芯带组成。…

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引用本文

李成仁. Bi-2212/Ag层状多芯带[J].稀有金属材料与工程,2000,(4).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2000,(4).]
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