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Si(100)上异质外延金刚石膜生长及其应用研究
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中图分类号:

TN304.12 TN304.18

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国家自然科学基金资助项目(50005027)


Growth of Heteroepitaxial Diamond Films on Si(100) and Its Applications
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    摘要:

    利用负衬底偏压和发射电子增强核化的方法,通过微波等离子体和热灯丝CVD法在Si(100)上合成出了高度定向的异质外延金刚石膜。并利用冷离子注入和快速退火处理完成P型掺杂异质外延金刚石膜的制作,研制出高灵敏度的压阻和磁阻传感器件。试验结果表明,这些器件不仅具有高灵敏度,而且在高温、高辐射和强化学腐蚀的环境下仍能正常工作。

    Abstract:

    Heteroepitaxial diamond films were grown on Si(100) via electron emission with a bias voltage, by using microwave plasma CVD and hot filament CVD. The piezoresistivity and magnetoresistivity of p type diamond films obtained by the cold implantation and rapid annealing have been investigated.The experimental results show that epitaxial diamond films have pronounced piezoresistivity and magnetoresistivity effect and can still be operated under extreme conditions such as high temperature, heavy radiation and a strong chemical corrosive environment

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王蜀霞. Si(100)上异质外延金刚石膜生长及其应用研究[J].稀有金属材料与工程,2001,(6):440~443.[Wang Shuxia. Growth of Heteroepitaxial Diamond Films on Si(100) and Its Applications[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2001,(6):440~443.]
DOI:[doi]

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  • 最后修改日期:2000-12-01
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