TM26
有关薄膜的研究报道指出，MgB２薄膜在磁场下具有较高的Hc２和Jc值。过去有关薄膜的研究虽然不少，但都是使用陶瓷基底。最近日本材料科学研究所超导材料中心用气相沉积法在可弯曲的金属基带上制备了具有高临界电流密度的MgB２超导带。实验中用尺寸为４mm×３０mm×０．３mm的Hastelloy（C－２７６）为基底，用偏置溅射技术先涂敷１层１μm厚的YSZ，然后再用脉冲激光技术沉积MgB２薄膜。沉积MgB２薄膜时，用KrF激光器，每脉冲４００mJ，５Hz下运行。将MgB２粉和Mg粉（纯度９９．９％）混合压片制作了富镁的靶。Mg与B的摩尔比为１…
刘春芳.高传输临界电流密度MgB_2超导带制备方法[J].稀有金属材料与工程,2003,(3).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(3).]DOI：[doi]