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磁控溅射PtSi/p-Si纳米薄膜组织结构的研究
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TN304

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Struture of PtSi/p-Si Nanometer Films Prepared by Sputtering
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    采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃-600℃退火。原子力显微镜(AFM)观察和x射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-Ptsi变为Pt Pt2Si PtSi-Ptsi。

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引用本文

殷景华 蔡伟 李美成 赵连城.磁控溅射PtSi/p-Si纳米薄膜组织结构的研究[J].稀有金属材料与工程,2003,(9):707~710.[Yin Jinghua, Cai Wei, Li Meicheng, Zhao Liancheng . Struture of PtSi/p-Si Nanometer Films Prepared by Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(9):707~710.]
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  • 最后修改日期:2002-03-01
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