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脉冲直流PCVD制备Ti-Si-N薄膜的电化学腐蚀行为
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中图分类号:

TG146.4

基金项目:

国家“863”高技术项目(2001AA338010),国家自然科学基金重点资助项目(59931010)


Electrochemical Corrosion of Ti-Si-N Films Coated by Pulsed-DC Plasma Enhanced CVD
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    摘要:

    用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,在550℃的高速钢基材表面沉积由纳米晶TiN,纳米非晶Si3N4以及纳米或非晶TiSi2组成的复相薄膜。通过改变氯化物混合比例调节薄膜的成分。薄膜中的Si含量在0at%~35at%范围内变化。结果表明,当加入少量Si元素后,由于非晶相的产生,TiN薄膜的耐腐蚀性能显著提高,并在一定Si含量的薄膜中发生了负腐蚀现象。但由T-Si的低导电性能,致使高硅含量薄膜颗粒粗大,因此更高Si含量薄膜的耐腐蚀性能又有所下降。

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引用本文

马大衍 王昕 马胜利 徐可为.脉冲直流PCVD制备Ti-Si-N薄膜的电化学腐蚀行为[J].稀有金属材料与工程,2004,33(7):740~743.[Ma Dayan, Wang Xin, Ma Shengli, Xu Kewei. Electrochemical Corrosion of Ti-Si-N Films Coated by Pulsed-DC Plasma Enhanced CVD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(7):740~743.]
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  • 最后修改日期:2002-12-24
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