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高温氨化Ga2O3形成GaN粉末
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中图分类号:

TN304

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国家自然科学基金资助项目(90201025,60071006)


Synthesis of Gallium Nitride(GaN)Powder by Ammoniating Ga2O3 under High Temperature
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    采用NH3为N源,以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对粉末进行结构、形貌分析。结果表明:当Ga源温度为850℃时得到六方纤锌矿结构的GaN晶体颗粒。

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引用本文

孙振翠 曹文田 魏芹芹 薛成山.高温氨化Ga2O3形成GaN粉末[J].稀有金属材料与工程,2004,33(8):861~863.[Sun Zhencui, Cao Wentian, Wei Qinqin, Xue Chenshan. Synthesis of Gallium Nitride(GaN)Powder by Ammoniating Ga2O3 under High Temperature[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(8):861~863.]
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  • 最后修改日期:2003-01-08
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