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低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究
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TB32

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Fabrication of Polycrystalline ZnSe by Chemical Vapor Deposition and Its Properties
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    以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃~750℃,压力为300Pa~1000Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料。性能测试表明,制备出的CVDZnSe多晶材料在0.55μm~22μm,及8μm~14μm波段的平均透过率超过70%(1mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54nm/cm。其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近。

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引用本文

周育先 方珍意 潘伟 杨曜源 张力强 王向阳 肖红涛.低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(2):306~308.[Zhou Yuxian, Fang Zhenyi, Pan Wei, Yang Yaoyuan, Zhang Liqiang, Wang Xiangyang, Xiao Hongtao. Fabrication of Polycrystalline ZnSe by Chemical Vapor Deposition and Its Properties[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(2):306~308.]
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  • 最后修改日期:2003-06-17
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