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Gd1-xAlO3:Eux^3+梯度材料芯片制备及发光性能
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TB43

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2005南昌大学科学基金项目(组合材料芯片筛选法开发稀土荧光粉材料Z02901);2005江两省教育厅基金项目(组合材料芯片筛选法开发稀土荧光粉材料Z02810);自然科学基金委主任基金资助项目(20151003/B01);上海市科学技术发展基金资助项目(纳米科技专项)(0259nm021);上海科委基础研究重点项目(02JC14015)


Gd1-xAlO3:Eux3+ Phosphors Material Chip''''s Synthesis and Luminescent Properties
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    摘要:

    将组合材料芯片技术中梯度组合法应用于新型发光材料Gd1-xAlO3:Eux^3+(发光峰丰峰位置为615nm,对应Eu^5D0→^7F2电子跃迁)的激活剂掺杂晕优化。获得如下的研究结果:在紫外激发T(254nm)Gd1-xAlO3:Eux^3+材料中的x值为0.09;Pr共掺杂时会降低发光强度(n(Pr):n(Eu)〈1:10)。光谱分析表明:Pr,Eu间卢子支持的共振能量传递,是Pr降低Gd1-xAlO3:Eux^3+(简写为:GAP:Eu)发光强度的丰要原因。优化的结果与柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体掺杂萤优化实验结果一致。实验结果表明组合法在发光材料开发中具有高效性。

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引用本文

罗岚 刘庆峰 刘茜. Gd1-xAlO3:Eux^3+梯度材料芯片制备及发光性能[J].稀有金属材料与工程,2005,34(8):1310~1313.[Luo Lan;Liu QingFeng;Liu Qian. Gd1-xAlO3:Eux3+ Phosphors Material Chip''''s Synthesis and Luminescent Properties[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(8):1310~1313.]
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  • 收稿日期:2004-05-25
  • 最后修改日期:2005-04-30
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