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热处理对TiO2溅射薄膜结构和光谱性能的影响
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TG146.4

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国家“863”项目(2003lg0034)


The Effect of the d-Electron Transition on UV-Vis Spectra and PL Spectra of TiO2 Films
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    摘要:

    用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱(UV-Vis spectrum)和荧光发射光谱(PL Spectrunm)做了研究。发现热处理后试样的紫外可见光谱在496nm处出现了一个较为明显的吸收峰,荧光发射光谱496.5nm处出现一个荧光发射带肩。X射线光电予能谱(XPS)的分析结果表明,热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去,生成Ti^3+离子和氧空位。结合XPS的分析结果和理论计算,可推断热处理后出现的位于496nm处的吸收峰和496.5nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti^3+离子的d电子跃迁产生。

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引用本文

刘保顺 何鑫 赵修建 赵青南.热处理对TiO2溅射薄膜结构和光谱性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2005,34(9):1451~1454.[Liu BaoShun;He Xin;Zhao XiuJian;Zhao QingNa. The Effect of the d-Electron Transition on UV-Vis Spectra and PL Spectra of TiO2 Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(9):1451~1454.]
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  • 收稿日期:2004-03-30
  • 最后修改日期:2004-10-28
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