热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

首页 > 过刊浏览>2007年第36卷第11期 >2000-2002

热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜
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中图分类号:O484.1
基金项目:国家自然科学基金(50171058)和河北省教育厅自然科学研究基金资助

MgB2 Superconducting Films in Situ Prepared by Hot-Filament Chemical Vapor Deposition

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用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜，并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度疋的影响。结果表明，HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成。基片温度在500℃以下，MgB4杂相容易出现；在500℃以上时，可以消除MgB4杂相；在600℃时，获得了纯单相的MgB2薄膜，其超导临界转变温度达到36K。随基片温度升高，薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高。

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王天生,田永君,于栋利,迟振华,胡前库,罗晓光.热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜[J].稀有金属材料与工程,2007,36(11):2000~2002.[. MgB2 Superconducting Films in Situ Prepared by Hot-Filament Chemical Vapor Deposition[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(11):2000~2002.]
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