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半导体ZnO亚微米钉的合成与表征
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TN304.05

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Preparation and Characterization of Semiconductor ZnO Submicron Nails
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    摘要:

    使用热蒸发法合成了一种亚微米级的钉状结构ZnO.扫描电镜和X射线衍射分析表明:使用这种方法合成的钉状ZnO具有六方纤锌矿结构;ZnO亚微米钉结构的杆部直径范围在200~400 nm之间, 底座部分的直径一般大于400 nm,有些甚至大到微米级;由于没有使用催化剂,因此推测这种ZnO亚微米钉的生长过程很可能遵循气-固生长机制.此外,还研究了这种ZnO亚微米钉结构的发光特性.

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引用本文

武祥,隋解和,蔡伟.半导体ZnO亚微米钉的合成与表征[J].稀有金属材料与工程,2008,37(3):547~550.[Wu Xiang, Sui Jiehe, Cai Wei. Preparation and Characterization of Semiconductor ZnO Submicron Nails[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(3):547~550.]
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  • 最后修改日期:2007-02-22
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