Volume 36,Issue 11,2007 Table of Contents
2007, 36(11):1881-1885.
Abstract:
主要论述贮氢合金理论模型研究进展。内容主要涉及贮氢合金的电子结构与氢化物稳定性之间的关系，合金材料的热力学研究，合金电极反应等方面。充分有效利用贮氢合金理论模型，将会大大加快贮氢合金的研究与产业化发展的步伐。
主要论述贮氢合金理论模型研究进展。内容主要涉及贮氢合金的电子结构与氢化物稳定性之间的关系，合金材料的热力学研究，合金电极反应等方面。充分有效利用贮氢合金理论模型，将会大大加快贮氢合金的研究与产业化发展的步伐。
2007, 36(11):1886-1890.
Abstract:
介绍了一种固溶加沉淀复合强化型的Nb—W合金的结构特征，采用崮溶加时效方法，使合金中的碳化物细小，均匀和弥散分布，拉伸试验结果表明，合金的室温和高温强化效果显著。对合金中可能的各种强化机制的作用，各强化机制之间相互影响也进行了讨论。
介绍了一种固溶加沉淀复合强化型的Nb—W合金的结构特征，采用崮溶加时效方法，使合金中的碳化物细小，均匀和弥散分布，拉伸试验结果表明，合金的室温和高温强化效果显著。对合金中可能的各种强化机制的作用，各强化机制之间相互影响也进行了讨论。
2007, 36(11):1891-1895.
Abstract:
在Gleeble-1500热模拟试验机上对Ti-Al-Zr-Sn—Mo—Si—Y合金进行了热压缩试验，采用动态材料模型建立的加工图研究了在变形温度800～1100℃，变形速率在0．002～10s^-1范围内的热变形行为。结果表明：该合金的功率耗散效率的峰值区为875～925℃，应变速率为0．001-0．002s^-1，峰值效率为85％。在温度为900～1000℃，应变速率为0．1～3s^-1的区域和850～950℃，应变速率为0．001-0．01s^-1的环形区域内进行等温压缩，Ti-Al-Zr-Sn-Mo-Si—Y合金发生了动态再结晶，其功率耗散效率为40％～55％。在800～925℃，应变速率为0．03～10s^-1和温度为860～930℃，应变速率为0．003～0．03s^-1区域内易产生流变失稳现象。
在Gleeble-1500热模拟试验机上对Ti-Al-Zr-Sn—Mo—Si—Y合金进行了热压缩试验，采用动态材料模型建立的加工图研究了在变形温度800～1100℃，变形速率在0．002～10s^-1范围内的热变形行为。结果表明：该合金的功率耗散效率的峰值区为875～925℃，应变速率为0．001-0．002s^-1，峰值效率为85％。在温度为900～1000℃，应变速率为0．1～3s^-1的区域和850～950℃，应变速率为0．001-0．01s^-1的环形区域内进行等温压缩，Ti-Al-Zr-Sn-Mo-Si—Y合金发生了动态再结晶，其功率耗散效率为40％～55％。在800～925℃，应变速率为0．03～10s^-1和温度为860～930℃，应变速率为0．003～0．03s^-1区域内易产生流变失稳现象。
2007, 36(11):1896-1900.
Abstract:
采用光学金相和电子背散射衍射对单晶铜线材拉拔变形过程中的组织演化进行了分析.结果表明,变形单晶铜线材组织的演化分为3个阶段;当真应变为1.96时,变形单晶铜线材由〈100〉转变为〈100〉、〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构,织构组分转变是由剪切变形所致;当真应变为0.94时,界面错配角小于14°,属于小角度界面,当真应变为1.96时,界面错配角超过50°,在25°～30°大角度范围出现了由织构演化形成的第2个峰.
采用光学金相和电子背散射衍射对单晶铜线材拉拔变形过程中的组织演化进行了分析.结果表明,变形单晶铜线材组织的演化分为3个阶段;当真应变为1.96时,变形单晶铜线材由〈100〉转变为〈100〉、〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构,织构组分转变是由剪切变形所致;当真应变为0.94时,界面错配角小于14°,属于小角度界面,当真应变为1.96时,界面错配角超过50°,在25°～30°大角度范围出现了由织构演化形成的第2个峰.
2007, 36(11):1901-1904.
Abstract:
采用以肼为还原剂的化学镀液，在多孔不锈钢载体上制备钯复合膜，研究钯复合膜的形核、长大及成膜机理。结果表明，载体经敏化／活化处理后，表面获得了均匀分散的纳米晶核，化学镀时，钯沿着晶核均匀长大，逐渐成膜。为了抑制载体的氢脆，增加载体与钯膜之间的结合力，载体预镀-薄层钯膜后再对载体作封孔处理，在孔径较大的不锈钢载体上获得了无裂缝、薄而致密的复合钯膜。
采用以肼为还原剂的化学镀液，在多孔不锈钢载体上制备钯复合膜，研究钯复合膜的形核、长大及成膜机理。结果表明，载体经敏化／活化处理后，表面获得了均匀分散的纳米晶核，化学镀时，钯沿着晶核均匀长大，逐渐成膜。为了抑制载体的氢脆，增加载体与钯膜之间的结合力，载体预镀-薄层钯膜后再对载体作封孔处理，在孔径较大的不锈钢载体上获得了无裂缝、薄而致密的复合钯膜。
2007, 36(11):1905-1908.
Abstract:
通过计算室温下含硅过饱和钙磷沉积液（SSCPS）中可能形成的各沉积相的过饱和度，对仿生制备含硅羟基磷灰石（Si—HA）的热力学条件进行了分析。结果表明：羟基磷灰石（HA）过饱和度最大；且当pH〈8时，硅不具备以偏硅酸盐形式存在的热力学条件，从而表明SSCPS具备仿生制备Si—HA涂层的热力学可能性。在SSCPS中通过浸泡，在钛表面仿生制备了Si—HA涂层，其Si含量在0．14at％～1．14at％，实验验证了热力学分析的正确性：还跟踪了仿生沉积过程pH值变化。
通过计算室温下含硅过饱和钙磷沉积液（SSCPS）中可能形成的各沉积相的过饱和度，对仿生制备含硅羟基磷灰石（Si—HA）的热力学条件进行了分析。结果表明：羟基磷灰石（HA）过饱和度最大；且当pH〈8时，硅不具备以偏硅酸盐形式存在的热力学条件，从而表明SSCPS具备仿生制备Si—HA涂层的热力学可能性。在SSCPS中通过浸泡，在钛表面仿生制备了Si—HA涂层，其Si含量在0．14at％～1．14at％，实验验证了热力学分析的正确性：还跟踪了仿生沉积过程pH值变化。
2007, 36(11):1909-1914.
Abstract:
用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的氧化钛薄膜，通过改变脉冲偏压幅值，考察其对氧化钛薄膜性能的影响。结果表明，沉积态薄膜为非晶态；脉冲偏压对薄膜性能有明显的影响。随偏压的增加，薄膜厚度、硬度和弹性模量均先增大后减小，前者峰值出现在-100-200V负偏压范围，后两者则在-150～250v范围：-300v偏压时的薄膜硬度最高；达到原子级表面光滑度，RRMs为0．113nm，薄膜折射率也最高，在λn=550nm达到已有报道的最高值2．51，此时薄膜具有最好的综合性能。文中对脉冲偏压对薄膜性能的影响机理也进行了分析。
用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的氧化钛薄膜，通过改变脉冲偏压幅值，考察其对氧化钛薄膜性能的影响。结果表明，沉积态薄膜为非晶态；脉冲偏压对薄膜性能有明显的影响。随偏压的增加，薄膜厚度、硬度和弹性模量均先增大后减小，前者峰值出现在-100-200V负偏压范围，后两者则在-150～250v范围：-300v偏压时的薄膜硬度最高；达到原子级表面光滑度，RRMs为0．113nm，薄膜折射率也最高，在λn=550nm达到已有报道的最高值2．51，此时薄膜具有最好的综合性能。文中对脉冲偏压对薄膜性能的影响机理也进行了分析。
2007, 36(11):1924-1927.
Abstract:
通过TEM研究了固溶态及直接时效态Inconel718合金的蠕变变形组织。结果表明：固溶态Inconel718合金，在550℃／220MPa条件下达到1％变形量时，蠕变组织的特征为位错交滑移；而直接时效态Inconel718合金，在680℃／650MPa条件下达到1％变形量时，蠕变组织中既有位错滑移后形成的变形带，又存在位错攀移，并且存在少量的孪晶变形。讨论了Inconel718合金中发生蠕变孪晶的机制，着重从γ＂强化相的晶体学特征来解释该现象。研究结果认为：具有特殊结构的γ＂强化相是影响合金蠕变变形机制的根源。
通过TEM研究了固溶态及直接时效态Inconel718合金的蠕变变形组织。结果表明：固溶态Inconel718合金，在550℃／220MPa条件下达到1％变形量时，蠕变组织的特征为位错交滑移；而直接时效态Inconel718合金，在680℃／650MPa条件下达到1％变形量时，蠕变组织中既有位错滑移后形成的变形带，又存在位错攀移，并且存在少量的孪晶变形。讨论了Inconel718合金中发生蠕变孪晶的机制，着重从γ＂强化相的晶体学特征来解释该现象。研究结果认为：具有特殊结构的γ＂强化相是影响合金蠕变变形机制的根源。
2007, 36(11):1928-1932.
Abstract:
采用金相显微镜和扫描电镜等手段，研究了固溶、固溶时效等热处理工艺对TC21钛合金显微组织的影响，确定了两相区热处理得到的显微组织，采用透射电镜、X射线衍射方法研究了TC21钛合金在两相区热处理的相组成。同时探讨了固溶温度、固溶时间、冷却方式以及时效处理对这种合金显微组织和相结构的作用。结果表明：在两相区进行热处理，均得到双态组织；相组成主要是α相、β相，并在TC21合金中发现含有少量金属化合物，如α2-Ti3Al相、B2相、Zr3Al、Si2Mo等；固溶温度影响了初生α相的体积分数和晶粒尺寸：固溶时间达到一定程度后，延长保温时间对显微组织没有明显影响；冷却速度影响声转变基体组织；时效也对β转变基体组织和次生α相有影响。
采用金相显微镜和扫描电镜等手段，研究了固溶、固溶时效等热处理工艺对TC21钛合金显微组织的影响，确定了两相区热处理得到的显微组织，采用透射电镜、X射线衍射方法研究了TC21钛合金在两相区热处理的相组成。同时探讨了固溶温度、固溶时间、冷却方式以及时效处理对这种合金显微组织和相结构的作用。结果表明：在两相区进行热处理，均得到双态组织；相组成主要是α相、β相，并在TC21合金中发现含有少量金属化合物，如α2-Ti3Al相、B2相、Zr3Al、Si2Mo等；固溶温度影响了初生α相的体积分数和晶粒尺寸：固溶时间达到一定程度后，延长保温时间对显微组织没有明显影响；冷却速度影响声转变基体组织；时效也对β转变基体组织和次生α相有影响。
2007, 36(11):1933-1937.
Abstract:
采用二次通用旋转组合设计法，建立了钼粉粒度、氧含量与还原工艺参数间关系的经验数学模型，绘制了双工艺参数与钳粉粒度、氧含量间关系的函数图，得出了制备钼粉的最佳工艺，即还原温度为950～1000℃，料层厚度为1．8～2．0cm，推舟速度为90～100min／boat。
采用二次通用旋转组合设计法，建立了钼粉粒度、氧含量与还原工艺参数间关系的经验数学模型，绘制了双工艺参数与钳粉粒度、氧含量间关系的函数图，得出了制备钼粉的最佳工艺，即还原温度为950～1000℃，料层厚度为1．8～2．0cm，推舟速度为90～100min／boat。
2007, 36(11):1938-1941.
Abstract:
采用有限元分析软件ANSYS对TC4与QAl10-3-1．5直接扩散连接和填加Ni中间层扩散连接接头残余应力分布进行了数值模拟。结果表明，对接头强度有害的轴向拉应力巩的最大值出现在靠近接头边缘的界面脆性相及焊缝TC4侧的狭小区域内，且拉应力σy随着向中心轴的靠近而迅速减小并逐渐转为压应力，因此该区域是接头的薄弱区；采用Ni中间层时，应力分布梯度相对缓和一些，最大残余应力出现在中间层Ni与TC4之间的金属间化合物NiTi、Ni3Ti上；而随着中间层厚度的增加，接头残余应力也相应的增大。中间层厚仅存在一个最佳值。
采用有限元分析软件ANSYS对TC4与QAl10-3-1．5直接扩散连接和填加Ni中间层扩散连接接头残余应力分布进行了数值模拟。结果表明，对接头强度有害的轴向拉应力巩的最大值出现在靠近接头边缘的界面脆性相及焊缝TC4侧的狭小区域内，且拉应力σy随着向中心轴的靠近而迅速减小并逐渐转为压应力，因此该区域是接头的薄弱区；采用Ni中间层时，应力分布梯度相对缓和一些，最大残余应力出现在中间层Ni与TC4之间的金属间化合物NiTi、Ni3Ti上；而随着中间层厚度的增加，接头残余应力也相应的增大。中间层厚仅存在一个最佳值。
2007, 36(11):1942-1946.
Abstract:
为了揭示高合金化难变形GH742合金在等温凝固过程中元素的偏析规律，利用SEM和EDAX及密度计算研究了该合金的显微组织和元素的偏析情况，并分析了相变对偏析元素及液体密度的影响。结果表明，在凝固过程中，GH742合金中的主要偏析元素是Nb和Ti，液体密度随凝固温度的下降而上升，在1330℃以下，一次碳化物的析出，使剩余液体中的合金元素发生重新分配，并由此导致局部液体密度的不均匀。
为了揭示高合金化难变形GH742合金在等温凝固过程中元素的偏析规律，利用SEM和EDAX及密度计算研究了该合金的显微组织和元素的偏析情况，并分析了相变对偏析元素及液体密度的影响。结果表明，在凝固过程中，GH742合金中的主要偏析元素是Nb和Ti，液体密度随凝固温度的下降而上升，在1330℃以下，一次碳化物的析出，使剩余液体中的合金元素发生重新分配，并由此导致局部液体密度的不均匀。
13 Influence of Processing and Parameters on the Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy of TbCo Films
2007, 36(11):1947-1950.
Abstract:
采用射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜，并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究。结果表明：磁性层组分、溅射气压、基片偏压以及后退火温度对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的影响。当Tb含量为30％左右，或溅射气压为0.53Pa时，TbCo薄膜的磁各向异性能Ku会呈现极大值。基片偏压超过-60V以后，TbCo薄膜虬值开始显著上升，但超过-120V以后，Ku值开始趋向饱和。200℃以上真空退火会使TbCo薄膜磁各向异性能凰值明显下降。产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关。
采用射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜，并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究。结果表明：磁性层组分、溅射气压、基片偏压以及后退火温度对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的影响。当Tb含量为30％左右，或溅射气压为0.53Pa时，TbCo薄膜的磁各向异性能Ku会呈现极大值。基片偏压超过-60V以后，TbCo薄膜虬值开始显著上升，但超过-120V以后，Ku值开始趋向饱和。200℃以上真空退火会使TbCo薄膜磁各向异性能凰值明显下降。产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关。
2007, 36(11):1951-1954.
Abstract:
提出利用红外热像实时监测系统，实时获得在YBCO高温超导薄膜上H3PO4腐蚀浅液层的红外灰度数值分布，并以浅液层热交换简化模型为基础，通过归一化红外灰度标准差值表征YBCO高温超导薄膜表面粗糙度的变化。理论分析与实验结果均表明，由归一化红外灰度标准差值的变化曲线，可以清楚展现YBCO高温超导薄膜表面粗糙度增大、减小以及趋于平缓的3个阶段，并能直接获得每个阶段所对应的时间。在本实验条件下，表面粗糙度在8s时达到最大值，然后逐渐下降，到40s时开始趋于稳定。浅液层条件下的YBCO高温超导薄膜表面粗糙度的成功观测，是一个重要的阶段目标，为最终解决YBCO高温超导薄膜湿法刻蚀中粗糙度的实时监测难题奠定了良好基础。
提出利用红外热像实时监测系统，实时获得在YBCO高温超导薄膜上H3PO4腐蚀浅液层的红外灰度数值分布，并以浅液层热交换简化模型为基础，通过归一化红外灰度标准差值表征YBCO高温超导薄膜表面粗糙度的变化。理论分析与实验结果均表明，由归一化红外灰度标准差值的变化曲线，可以清楚展现YBCO高温超导薄膜表面粗糙度增大、减小以及趋于平缓的3个阶段，并能直接获得每个阶段所对应的时间。在本实验条件下，表面粗糙度在8s时达到最大值，然后逐渐下降，到40s时开始趋于稳定。浅液层条件下的YBCO高温超导薄膜表面粗糙度的成功观测，是一个重要的阶段目标，为最终解决YBCO高温超导薄膜湿法刻蚀中粗糙度的实时监测难题奠定了良好基础。
2007, 36(11):1955-1959.
Abstract:
用熔铸法制备了两类8种镁-稀土合金，通过力学性能试验，X射线衍射（XRD）、扫描电子显微（SEM）分析确定了稀土元素Ce、Y在ZK60镁合金中的分布、演化规律及其不同状态时所发挥的作用。结果表明：ZK60-1．5Ce和ZK60-1．0Y分别在两类合金中具有最佳的力学性能；Ce和Y在铸态时都分布在晶界上，在基体镁中的分布极少，经挤压变形后，Ce和Y沿挤压方向分布：无论合金处于什么状态，Ce和Y都以化合物的形式存在为主。试验合金的力学性能都高于ZK60合金本身。
用熔铸法制备了两类8种镁-稀土合金，通过力学性能试验，X射线衍射（XRD）、扫描电子显微（SEM）分析确定了稀土元素Ce、Y在ZK60镁合金中的分布、演化规律及其不同状态时所发挥的作用。结果表明：ZK60-1．5Ce和ZK60-1．0Y分别在两类合金中具有最佳的力学性能；Ce和Y在铸态时都分布在晶界上，在基体镁中的分布极少，经挤压变形后，Ce和Y沿挤压方向分布：无论合金处于什么状态，Ce和Y都以化合物的形式存在为主。试验合金的力学性能都高于ZK60合金本身。
2007, 36(11):1960-1963.
Abstract:
采用真空电弧离子镀技术，在316L医用不锈钢基片上沉积Fe／Pt和Pt／Fe／Pt多层膜。Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜在初始沉积态是无序的fcc结构，经扩散热处理，发生相变，转变为fct有序结构的L10型Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜。经SEM、XRD分析和磁性测量表明：316L医用不锈钢表面可沉积均匀致密的Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜，经扩散热处理后，Fe—Pt形成了明显的扩散层，fcc结构的Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜部分转变为了fct结构，通过硬磁fct相与软磁fcc相的交换耦合作用，剩磁有了很大的提高。
采用真空电弧离子镀技术，在316L医用不锈钢基片上沉积Fe／Pt和Pt／Fe／Pt多层膜。Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜在初始沉积态是无序的fcc结构，经扩散热处理，发生相变，转变为fct有序结构的L10型Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜。经SEM、XRD分析和磁性测量表明：316L医用不锈钢表面可沉积均匀致密的Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜，经扩散热处理后，Fe—Pt形成了明显的扩散层，fcc结构的Fe／Pt和Pt／Fe／Pt薄膜部分转变为了fct结构，通过硬磁fct相与软磁fcc相的交换耦合作用，剩磁有了很大的提高。
2007, 36(11):1964-1966.
Abstract:
对Gd1-xTb合金的磁热性能进行了研究。结果表明：Gd0.73Tb0.27的绝热温变比纯度为99．9％的Gd大，居里温度比Gd低14K，其磁热性能优于Gd。添加元素对Gd0.73Tb0.27磁热性能的影响表明：Dy的添加使Gd0.73Tb0.27的最大绝热温变略有减小，但仍保持比纯度为99．9％的Gd大；少量Nd的加入可显著降低居里温度，使最大绝热温变略有减小，它是十分有效的制冷温区调节剂；少量Fe的加入可提高居里温度，同时又能保持较大的绝热温变；Ge的添加使Gd0.73Tb0.27合金的最大绝热温变有所减小，居里温度基本不变。
对Gd1-xTb合金的磁热性能进行了研究。结果表明：Gd0.73Tb0.27的绝热温变比纯度为99．9％的Gd大，居里温度比Gd低14K，其磁热性能优于Gd。添加元素对Gd0.73Tb0.27磁热性能的影响表明：Dy的添加使Gd0.73Tb0.27的最大绝热温变略有减小，但仍保持比纯度为99．9％的Gd大；少量Nd的加入可显著降低居里温度，使最大绝热温变略有减小，它是十分有效的制冷温区调节剂；少量Fe的加入可提高居里温度，同时又能保持较大的绝热温变；Ge的添加使Gd0.73Tb0.27合金的最大绝热温变有所减小，居里温度基本不变。
2007, 36(11):1967-1970.
Abstract:
研究了不同的型壳保温温度对一种铸造单晶高温合金DD98铸态组织、热处理组织和持久性能的影响。结果表明，随着上下区型壳保温温度的升高，固液界面前沿的温度梯度增大，而糊状区的宽度减小。铸态下，随着上下区型壳保温温度的升高，其一次和二次枝晶间距均减小，枝晶间和枝晶干上的γ’尺寸差别减小，并且枝晶间的γ’形状也逐渐变得规则，合金的显微偏析程度降低。热处理后，高的型壳保温温度可获得尺寸细小的γ’和较少的残留共晶。合金的持久寿命随着型壳保温温度的升高而增加，但相应的持久延伸率降低。
研究了不同的型壳保温温度对一种铸造单晶高温合金DD98铸态组织、热处理组织和持久性能的影响。结果表明，随着上下区型壳保温温度的升高，固液界面前沿的温度梯度增大，而糊状区的宽度减小。铸态下，随着上下区型壳保温温度的升高，其一次和二次枝晶间距均减小，枝晶间和枝晶干上的γ’尺寸差别减小，并且枝晶间的γ’形状也逐渐变得规则，合金的显微偏析程度降低。热处理后，高的型壳保温温度可获得尺寸细小的γ’和较少的残留共晶。合金的持久寿命随着型壳保温温度的升高而增加，但相应的持久延伸率降低。
2007, 36(11):1971-1974.
Abstract:
研究了贮氢合金凝固过程中施加直流磁场处理对其组织结构和电化学性能的影响。结果表明：磁场处理没有改变AB5型贮氢合金的CaCu5型六方体结构，但使晶胞常数α0、c0增加，晶胞体积增大；合金的电化学容量变化不大，却明显改善了其高倍率放电（C）性能和循环寿命，合金在5C的放电容量提高了27．8％，S200由0．68上升到0．81；合金中氢的扩散系数增大。
研究了贮氢合金凝固过程中施加直流磁场处理对其组织结构和电化学性能的影响。结果表明：磁场处理没有改变AB5型贮氢合金的CaCu5型六方体结构，但使晶胞常数α0、c0增加，晶胞体积增大；合金的电化学容量变化不大，却明显改善了其高倍率放电（C）性能和循环寿命，合金在5C的放电容量提高了27．8％，S200由0．68上升到0．81；合金中氢的扩散系数增大。
2007, 36(11):1975-1978.
Abstract:
通过实际浇注制取了Ti-48Al—2Cr-2Nb（at％，下同）合金熔体／氧化物铸型界面，继而借助SEM、EPMA和XRD等分析测试手段，对Ti-48Al—2Cr-2Nb合金与氧化物铸型高温反应后的界面组织形貌、元素的分布以及界面生成相的相组成进行了研究，并探讨了Ti-48Al—2Cr-2Nb合金熔体与氧化物铸型间的界面反应机理。结果表明，Ti-48Al—2Cr-2Nb合金熔体与氧化物铸型间发生了一定程度的界面化学反应，但存界而上化学反应并不是均匀进行的，而是在Ti-48Al—2Cr-2Nb金熔体与氧化物铸型紧密结合的区域优先进行。
通过实际浇注制取了Ti-48Al—2Cr-2Nb（at％，下同）合金熔体／氧化物铸型界面，继而借助SEM、EPMA和XRD等分析测试手段，对Ti-48Al—2Cr-2Nb合金与氧化物铸型高温反应后的界面组织形貌、元素的分布以及界面生成相的相组成进行了研究，并探讨了Ti-48Al—2Cr-2Nb合金熔体与氧化物铸型间的界面反应机理。结果表明，Ti-48Al—2Cr-2Nb合金熔体与氧化物铸型间发生了一定程度的界面化学反应，但存界而上化学反应并不是均匀进行的，而是在Ti-48Al—2Cr-2Nb金熔体与氧化物铸型紧密结合的区域优先进行。
2007, 36(11):1979-1982.
Abstract:
采用冷等静压-烧结的方法制备了铝电解用Co-Ni-xNiFe2O4(x=5%,10%,15%,20%,质量分数,下同)金属基惰性阳极,并对试样的导电性和抗腐蚀性进行了研究.结果表明阳极试样的电导率随NiFe2O4含量的增加和温度的升高而降低,在900℃时惰性阳极47.5Co 47.5Ni 5.0NiFe2O4和42.5Co 42.5Ni 15.0NiFe2O4的电导率分别为550 S·cm-1和300 S·cm-1.SEM照片表明试样的抗腐蚀性随着NiFe2O4含量的增加而增强.由于氧化作用和铝热反应,电解极化腐蚀速率要比静态腐蚀速率大.
采用冷等静压-烧结的方法制备了铝电解用Co-Ni-xNiFe2O4(x=5%,10%,15%,20%,质量分数,下同)金属基惰性阳极,并对试样的导电性和抗腐蚀性进行了研究.结果表明阳极试样的电导率随NiFe2O4含量的增加和温度的升高而降低,在900℃时惰性阳极47.5Co 47.5Ni 5.0NiFe2O4和42.5Co 42.5Ni 15.0NiFe2O4的电导率分别为550 S·cm-1和300 S·cm-1.SEM照片表明试样的抗腐蚀性随着NiFe2O4含量的增加而增强.由于氧化作用和铝热反应,电解极化腐蚀速率要比静态腐蚀速率大.
2007, 36(11):1983-1986.
Abstract:
用电弧炉熔炼及铜模铸造方法，制备了含有部分纳米晶Zr41.2Til3.8Cu12.5Ni10Be22.5块体非晶合金。通过电化学方法对合金材料充入氢。利用DTA、DSC、XRD及TEM等方法，研究了氢对纳米晶体的影响。结果表明，氢使纳米晶体转变为非晶结构，在含有部分纳米晶的非晶合金中充入氢能够制备出块体非晶合金材料。
用电弧炉熔炼及铜模铸造方法，制备了含有部分纳米晶Zr41.2Til3.8Cu12.5Ni10Be22.5块体非晶合金。通过电化学方法对合金材料充入氢。利用DTA、DSC、XRD及TEM等方法，研究了氢对纳米晶体的影响。结果表明，氢使纳米晶体转变为非晶结构，在含有部分纳米晶的非晶合金中充入氢能够制备出块体非晶合金材料。
2007, 36(11):1991-1995.
Abstract:
在熔盐MgF2-CaF2中以预烧成型的Ta2O5为阴极，氧化钇稳定氧化锆管内的碳饱和铜液为阳极，利用固体透氧膜（SOM）法直接电解还原Ta2O5制备了金属钽。在3．5V电压下，研究了不同温度下阴极产物的形貌及其对脱氧的影响，分析了电流随时间变化的规律。结果表明：随着电解温度的升高，脱氧速度加快，金属钽颗粒尺寸明显增大，其形貌由海绵状向块状转变；当温度为1423K时，具有较好的金属钽制备效果。
在熔盐MgF2-CaF2中以预烧成型的Ta2O5为阴极，氧化钇稳定氧化锆管内的碳饱和铜液为阳极，利用固体透氧膜（SOM）法直接电解还原Ta2O5制备了金属钽。在3．5V电压下，研究了不同温度下阴极产物的形貌及其对脱氧的影响，分析了电流随时间变化的规律。结果表明：随着电解温度的升高，脱氧速度加快，金属钽颗粒尺寸明显增大，其形貌由海绵状向块状转变；当温度为1423K时，具有较好的金属钽制备效果。
2007, 36(11):1996-1999.
Abstract:
采用微波合成法快速合成了红外光激励发光材料CaS：Eu，Sm。研究了输出功率对样品发光性能的影响，Eu，Sm双掺杂离子的不同掺杂浓度对发光性能的影响（确定了最佳掺杂浓度），不同助熔剂对发光性能的影响。XRD测试结果表明，CaS：Eu，Sm样品为面心立方结构；SEM照片显示样品粒径在400～500nm范围内；光谱分析表明，样品的红外光激励发光响应范围位于800-1600nm，上转换发光峰值位于655nm，对应于Eu^2＋离子4f^65d→4f^7（^8S7/2）跃迁。
采用微波合成法快速合成了红外光激励发光材料CaS：Eu，Sm。研究了输出功率对样品发光性能的影响，Eu，Sm双掺杂离子的不同掺杂浓度对发光性能的影响（确定了最佳掺杂浓度），不同助熔剂对发光性能的影响。XRD测试结果表明，CaS：Eu，Sm样品为面心立方结构；SEM照片显示样品粒径在400～500nm范围内；光谱分析表明，样品的红外光激励发光响应范围位于800-1600nm，上转换发光峰值位于655nm，对应于Eu^2＋离子4f^65d→4f^7（^8S7/2）跃迁。
2007, 36(11):2000-2002.
Abstract:
用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜，并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度疋的影响。结果表明，HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成。基片温度在500℃以下，MgB4杂相容易出现；在500℃以上时，可以消除MgB4杂相；在600℃时，获得了纯单相的MgB2薄膜，其超导临界转变温度达到36K。随基片温度升高，薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高。
用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜，并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度疋的影响。结果表明，HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成。基片温度在500℃以下，MgB4杂相容易出现；在500℃以上时，可以消除MgB4杂相；在600℃时，获得了纯单相的MgB2薄膜，其超导临界转变温度达到36K。随基片温度升高，薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高。
2007, 36(11):2003-2006.
Abstract:
在空气中分别采用Sol—Gel法和溶液燃烧法制备了稀土Eu激活的BaMgAl10O17（BAM）荧光粉，并对其光谱特性进行了对比分析。结果表明，Sol—Gel法制备的BAM的荧光光谱与＋3价Eu离子的光谱特征完全相符，为红光发射，其发射主峰位于617nm，属于占据非对称中心格位Eu^3＋的^5Do→^7F2的电偶极（ED）特征发射，而且由于晶场的作用使多重态的^7FJ分裂为多个stark能级，导致^5Do→^7F1、^5Do→^7F3的发射峰裂分为多重峰；而溶液燃烧法制备的BAM的发光呈Eu^2＋离子的特征发射，为典型的蓝色发光，其发射光谱是一个最大峰值位于450nm的宽带谱，归属于Eu^2＋离子的4f^65d→4f^7（^8S7／2）宽带允许跃迁。
在空气中分别采用Sol—Gel法和溶液燃烧法制备了稀土Eu激活的BaMgAl10O17（BAM）荧光粉，并对其光谱特性进行了对比分析。结果表明，Sol—Gel法制备的BAM的荧光光谱与＋3价Eu离子的光谱特征完全相符，为红光发射，其发射主峰位于617nm，属于占据非对称中心格位Eu^3＋的^5Do→^7F2的电偶极（ED）特征发射，而且由于晶场的作用使多重态的^7FJ分裂为多个stark能级，导致^5Do→^7F1、^5Do→^7F3的发射峰裂分为多重峰；而溶液燃烧法制备的BAM的发光呈Eu^2＋离子的特征发射，为典型的蓝色发光，其发射光谱是一个最大峰值位于450nm的宽带谱，归属于Eu^2＋离子的4f^65d→4f^7（^8S7／2）宽带允许跃迁。
27 Oxidation Resistance of Siliconized TiAl-Based Alloy at High Temperature and in Strong Flowing Air
2007, 36(11):2007-2010.
Abstract:
采用固体粉末包埋法在TiAl基合金表面渗硅，着重研究了渗硅层在高温强气流冲击条件下的抗循环氧化性能，用XRD及SEM／EDS分析了渗硅层氧化后的成分结构和形貌。结果表明，渗硅后形成以Tissi3、Al2O3和TiSi2、Si为主的复合渗层，在高温强气流冲击条件下，表面生成以SiO2为主的氧化层并与Al2O3层紧密结合。900℃循环氧化时间小于160h时，渗硅层在强气流冲击下的抗氧化性与静态空气中基本相同；氧化时间超过160h后增重略高于静态空气氧化。TiAl基合金渗硅后表现出良好的抗高温强气流循环氧化性能。
采用固体粉末包埋法在TiAl基合金表面渗硅，着重研究了渗硅层在高温强气流冲击条件下的抗循环氧化性能，用XRD及SEM／EDS分析了渗硅层氧化后的成分结构和形貌。结果表明，渗硅后形成以Tissi3、Al2O3和TiSi2、Si为主的复合渗层，在高温强气流冲击条件下，表面生成以SiO2为主的氧化层并与Al2O3层紧密结合。900℃循环氧化时间小于160h时，渗硅层在强气流冲击下的抗氧化性与静态空气中基本相同；氧化时间超过160h后增重略高于静态空气氧化。TiAl基合金渗硅后表现出良好的抗高温强气流循环氧化性能。
2007, 36(11):2011-2015.
Abstract:
研究了旋转磁场对Pb-48％Sn亚共晶合金和Pb-67％Sn过共晶合金凝固组织影响的作用机理，对比分析在常规条件下和旋转磁场条件下Pb-48％Sn-0．1％Ce、Pb-80％Sn-0．1％Ce的合金凝固组织的形貌特征。实验证明：旋转磁场能够引起Pb—Sn合金熔体内部的流动，达到改善Pb-Sn合金比重偏析、细化晶粒和提高该合金综合性能的效果。此外，对于Pb-48％Sn、Pb-67％Sn合金，研究发现450mT静磁场的作用效果不明显。
研究了旋转磁场对Pb-48％Sn亚共晶合金和Pb-67％Sn过共晶合金凝固组织影响的作用机理，对比分析在常规条件下和旋转磁场条件下Pb-48％Sn-0．1％Ce、Pb-80％Sn-0．1％Ce的合金凝固组织的形貌特征。实验证明：旋转磁场能够引起Pb—Sn合金熔体内部的流动，达到改善Pb-Sn合金比重偏析、细化晶粒和提高该合金综合性能的效果。此外，对于Pb-48％Sn、Pb-67％Sn合金，研究发现450mT静磁场的作用效果不明显。
2007, 36(11):2020-2022.
Abstract:
Mg粉在800℃氨气流中氨化60min，可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明，Mg3N2粉末是体心立方结构，晶格常数α=0．99657nm。SEM分析表明，Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明，在激发波长为490nm的情况下，氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。
Mg粉在800℃氨气流中氨化60min，可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明，Mg3N2粉末是体心立方结构，晶格常数α=0．99657nm。SEM分析表明，Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明，在激发波长为490nm的情况下，氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。
2007, 36(11):2023-2026.
Abstract:
钨酸钆钠是一种新型的激光基质材料。采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆钠晶体，分子式为NaGd（WO4）2。通过TG-DTA分析得到晶体的熔点为1253．30℃，从XRD分析得到晶胞参数α=b=0．5248nm，c=1．1257nm。讨论了钨酸钆钠晶体的生长工艺，给出晶体生长的最佳工艺参数为拉速2mm／h，转速为30r／min，冷却速率为15℃／h，最佳的轴向温度梯度为液面上0．7～1℃／mm。测试了钨酸钆钠晶体的Raman光谱，讨论了晶体的振动归属。
钨酸钆钠是一种新型的激光基质材料。采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆钠晶体，分子式为NaGd（WO4）2。通过TG-DTA分析得到晶体的熔点为1253．30℃，从XRD分析得到晶胞参数α=b=0．5248nm，c=1．1257nm。讨论了钨酸钆钠晶体的生长工艺，给出晶体生长的最佳工艺参数为拉速2mm／h，转速为30r／min，冷却速率为15℃／h，最佳的轴向温度梯度为液面上0．7～1℃／mm。测试了钨酸钆钠晶体的Raman光谱，讨论了晶体的振动归属。
2007, 36(11):2027-2030.
Abstract:
利用射频磁控溅射法在单晶LaAlO3（100）衬底上成功的外延生长了La0.67Pb0.33MnO3薄膜。用X射线衍射、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征。结果表明，薄膜为赝立方钙钛矿结构，晶胞参数为α=3，861nm，具有良好的单晶外延结构。居里温度Tc（=335K）非常接近金属绝缘体转变温度TMI（=340K）。在居里温度附近，发生铁磁．顺磁转变，导电特性由金属特征向半导体特征过渡。此材料呈现出的一种典型自旋玻璃特性是由应力造成的。磁电阻在居里点达到极大值，当H=1．0T时，磁电阻的极大值为24.3％，输运性质表明，T〈TMI时，电阻率满足公式ρ（T）=ρ0＋ρ1T^2＋ρ2T^4.5，此输运机制是由电子造成的：当T〉TMI时，符合小极化子模型，输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的。
利用射频磁控溅射法在单晶LaAlO3（100）衬底上成功的外延生长了La0.67Pb0.33MnO3薄膜。用X射线衍射、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征。结果表明，薄膜为赝立方钙钛矿结构，晶胞参数为α=3，861nm，具有良好的单晶外延结构。居里温度Tc（=335K）非常接近金属绝缘体转变温度TMI（=340K）。在居里温度附近，发生铁磁．顺磁转变，导电特性由金属特征向半导体特征过渡。此材料呈现出的一种典型自旋玻璃特性是由应力造成的。磁电阻在居里点达到极大值，当H=1．0T时，磁电阻的极大值为24.3％，输运性质表明，T〈TMI时，电阻率满足公式ρ（T）=ρ0＋ρ1T^2＋ρ2T^4.5，此输运机制是由电子造成的：当T〉TMI时，符合小极化子模型，输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的。
2007, 36(11):2031-2035.
Abstract:
配制不同V含量的3种阻燃钛合金，分别测试其在不同热暴露和蠕变工艺下的热稳定性能和蠕变性能，并观察其显微组织。结果表明，随V元素含量的增加，合金热稳定性能和抗蠕变性能提高，并且V元素的含量对热稳定性能和蠕变性能的影响存在一个最佳含量，小于该含量时，V元素含量对热稳定性能和抗蠕变性能影响较大，大于该含量时，含量增加对其性能影响不大。在讨论中指出，V元素对热稳定性能和蠕变性能的影响主要表现在对β相稳定性的影响，对TiCr2相形成过程的影响和与空位的相互作用三个方面，并详细论述了其机理。
配制不同V含量的3种阻燃钛合金，分别测试其在不同热暴露和蠕变工艺下的热稳定性能和蠕变性能，并观察其显微组织。结果表明，随V元素含量的增加，合金热稳定性能和抗蠕变性能提高，并且V元素的含量对热稳定性能和蠕变性能的影响存在一个最佳含量，小于该含量时，V元素含量对热稳定性能和抗蠕变性能影响较大，大于该含量时，含量增加对其性能影响不大。在讨论中指出，V元素对热稳定性能和蠕变性能的影响主要表现在对β相稳定性的影响，对TiCr2相形成过程的影响和与空位的相互作用三个方面，并详细论述了其机理。
2007, 36(11):2036-2040.
Abstract:
采用弧辉等离子沉积工艺在镁合金AZ91表面涂覆了TiN薄膜。研究了沉积温度对膜层的厚度、结合力及硬度的影响。用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和辉光放电光潜（GDS）分析了涂层的成分和微观结构。结果表明，随着控制温度的升高，膜层厚度呈缓慢增加的趋势，但温度过高或过低结合力明显下降，以160～180℃最佳。180℃时的硬度HK0.01最高，达14630MPa。
采用弧辉等离子沉积工艺在镁合金AZ91表面涂覆了TiN薄膜。研究了沉积温度对膜层的厚度、结合力及硬度的影响。用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和辉光放电光潜（GDS）分析了涂层的成分和微观结构。结果表明，随着控制温度的升高，膜层厚度呈缓慢增加的趋势，但温度过高或过低结合力明显下降，以160～180℃最佳。180℃时的硬度HK0.01最高，达14630MPa。
2007, 36(11):2041-2044.
Abstract:
对95W合金进行热挤压形变强化，分别沿挤压棒材轴向和径向进行静态、动态力学性能对比研究，并对测试后的试样进行显微组织和断口分析。结果表明，动态加载下纤维组织力学性能各向异性显著，沿纤维轴向具有较高的塑性，低的屈服强度；沿径向具有较低的塑性和高的屈服强度。分析表明，剪切破坏是导致动态加载下径向与轴向性能显著差异的主要原因，据此提出了将热挤压与扭转变形相结合，提高钨合金穿甲自锐化能力的新途径。
对95W合金进行热挤压形变强化，分别沿挤压棒材轴向和径向进行静态、动态力学性能对比研究，并对测试后的试样进行显微组织和断口分析。结果表明，动态加载下纤维组织力学性能各向异性显著，沿纤维轴向具有较高的塑性，低的屈服强度；沿径向具有较低的塑性和高的屈服强度。分析表明，剪切破坏是导致动态加载下径向与轴向性能显著差异的主要原因，据此提出了将热挤压与扭转变形相结合，提高钨合金穿甲自锐化能力的新途径。
2007, 36(11):2045-2048.
Abstract:
在聚苯乙烯（PS）微球表面进行化学镀银制得的核壳结构微球，可同时具有聚苯乙烯轻质、粒径可控以及金属银导电的特点。对比研究了在PS微球七直接镀银以及先进行化学镀镍之后再镀银2种不同工艺途径所得银层的特点，采用扫描电镜表征了微球的表面形貌，利用X射线衍射表征了镀层的结构组成，对镀后溶液进行了紫外吸收光谱分析，讨论了2种不同工艺路线的镀银机理。在直接镀银工艺中，发生地是醛基与银氨液的还原反应，而在预先镀镍再镀银的工艺中，银先与镍进行置换反应，然后再与醛基发生氧化还原反应。
在聚苯乙烯（PS）微球表面进行化学镀银制得的核壳结构微球，可同时具有聚苯乙烯轻质、粒径可控以及金属银导电的特点。对比研究了在PS微球七直接镀银以及先进行化学镀镍之后再镀银2种不同工艺途径所得银层的特点，采用扫描电镜表征了微球的表面形貌，利用X射线衍射表征了镀层的结构组成，对镀后溶液进行了紫外吸收光谱分析，讨论了2种不同工艺路线的镀银机理。在直接镀银工艺中，发生地是醛基与银氨液的还原反应，而在预先镀镍再镀银的工艺中，银先与镍进行置换反应，然后再与醛基发生氧化还原反应。
2007, 36(11):2049-2051.
Abstract:
利用AgNO3和H2C2O4溶液反应使Ag2C2O4沉淀，分析Ag2C2O4的热分解行为，研究了以Ag2C2O4为前驱体制备纳米银粉的方法。结果表明：在配位剂三乙醇胺和分散剂吐温-80的存在下，利用Ag2C2O4自身的氧化还原特性，在85℃加热10min可得到纳米银。X射线衍射分析证明制备的银粉为面心立方结构的单晶或多晶，透射电镜显示制备纳米银的粒径在4～25nm之间，平均粒径约10nm，粒度分布较为均匀。
利用AgNO3和H2C2O4溶液反应使Ag2C2O4沉淀，分析Ag2C2O4的热分解行为，研究了以Ag2C2O4为前驱体制备纳米银粉的方法。结果表明：在配位剂三乙醇胺和分散剂吐温-80的存在下，利用Ag2C2O4自身的氧化还原特性，在85℃加热10min可得到纳米银。X射线衍射分析证明制备的银粉为面心立方结构的单晶或多晶，透射电镜显示制备纳米银的粒径在4～25nm之间，平均粒径约10nm，粒度分布较为均匀。
2007, 36(11):2052-2056.
Abstract:
利用激光近净成形技术成形出无变形的Ni-Cu-Sn合金样品。沿沉积方向显微组织主要为柱状晶，呈外延式跨层生长，长度随工艺参数不同而变化。平均显微硬度HV0.2在1700MPa左右，而弹性模量和延伸率波动较大，这与高功率下近净成形颗粒全熔化的凝固特性有关。
利用激光近净成形技术成形出无变形的Ni-Cu-Sn合金样品。沿沉积方向显微组织主要为柱状晶，呈外延式跨层生长，长度随工艺参数不同而变化。平均显微硬度HV0.2在1700MPa左右，而弹性模量和延伸率波动较大，这与高功率下近净成形颗粒全熔化的凝固特性有关。
2007, 36(11):2057-2060.
Abstract:
采用固相反应法和化学液相共沉淀法合成钡钨阴极电子发射材料铝酸盐.XRD,TG-DSC分析表明液相共沉淀法最佳合成温度为1100℃,比高温固相反应法的合成温度降低了150℃;产物主晶相为Ba5CaAl4O12合成的盐制备成阴极,化学液相共沉淀法的脉冲发射电流密度25.3865 A/cm2,是固相反应法的2倍;平均蒸散速率为Vevap=5.04×10-8(g·cm-2)·s-1.液相法合成的铝酸盐满足了钡钨阴极的使用要求.
采用固相反应法和化学液相共沉淀法合成钡钨阴极电子发射材料铝酸盐.XRD,TG-DSC分析表明液相共沉淀法最佳合成温度为1100℃,比高温固相反应法的合成温度降低了150℃;产物主晶相为Ba5CaAl4O12合成的盐制备成阴极,化学液相共沉淀法的脉冲发射电流密度25.3865 A/cm2,是固相反应法的2倍;平均蒸散速率为Vevap=5.04×10-8(g·cm-2)·s-1.液相法合成的铝酸盐满足了钡钨阴极的使用要求.
2007, 36(11):2061-2064.
Abstract:
分别采用自行研制的多功能微弧等离子喷涂和传统的Metco 9M等离子喷涂制备了Al2O3＋13％TiO2（简称AT13）涂层，利用扫描电镜、X射线衍射仪以及显微硬度计等分析测试了AT13涂层的组织结构和性能，探讨了枪内中心轴向送粉方式对AT13涂层性能的影响。结果表明，多功能微弧等离子喷涂枪内中心轴向送粉方式制备的AT13涂层粉末粒子熔化充分，涂层主要物相为α—Al2O3、γ-Al2O3、Al2TiO5、ZrO2和CeO2等，显微硬度分布范围为975～1441MPa，平均结合强度为42．7MPa；而Metco 9M等离子喷涂外送粉方式制备的AT13涂层中存在部分未熔纳米AT13粉末粒子，主要物相有α-Al2O3、γ—Al2O3、Al2TiO5、TiO2、ZrO2和CeO2等，显微硬度分布范围为655～946MPa，平均结合强度为19．7MPa。结果显示多功能微弧等离子喷涂采用枪内中心轴向送粉能够制备出更加优异性能的AT13涂层，有利于拓宽AT13涂层在工业领域中的应用。
分别采用自行研制的多功能微弧等离子喷涂和传统的Metco 9M等离子喷涂制备了Al2O3＋13％TiO2（简称AT13）涂层，利用扫描电镜、X射线衍射仪以及显微硬度计等分析测试了AT13涂层的组织结构和性能，探讨了枪内中心轴向送粉方式对AT13涂层性能的影响。结果表明，多功能微弧等离子喷涂枪内中心轴向送粉方式制备的AT13涂层粉末粒子熔化充分，涂层主要物相为α—Al2O3、γ-Al2O3、Al2TiO5、ZrO2和CeO2等，显微硬度分布范围为975～1441MPa，平均结合强度为42．7MPa；而Metco 9M等离子喷涂外送粉方式制备的AT13涂层中存在部分未熔纳米AT13粉末粒子，主要物相有α-Al2O3、γ—Al2O3、Al2TiO5、TiO2、ZrO2和CeO2等，显微硬度分布范围为655～946MPa，平均结合强度为19．7MPa。结果显示多功能微弧等离子喷涂采用枪内中心轴向送粉能够制备出更加优异性能的AT13涂层，有利于拓宽AT13涂层在工业领域中的应用。
2007, 36(11):2065-2068.
Abstract:
介绍了用能量色散X射线荧光光谱法（EDXRF）同时测定W—Mo—Ni—Fe合金组分的分析方法。当W、Mo、Ni和Fe的质量分数依次为70％～90％、7％～21％、2％～6％和1％～3％时，其测量结果的相对标准偏差依次不大于0．5％、1．5％、3％和4％。该方法快速、简便。
介绍了用能量色散X射线荧光光谱法（EDXRF）同时测定W—Mo—Ni—Fe合金组分的分析方法。当W、Mo、Ni和Fe的质量分数依次为70％～90％、7％～21％、2％～6％和1％～3％时，其测量结果的相对标准偏差依次不大于0．5％、1．5％、3％和4％。该方法快速、简便。
